-
1 band-gap state
-
2 band-gap state
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > band-gap state
-
3 band-gap state
-
4 band-gap level
-
5 band-gap level
(энергетический) уровень в запрещенной зонеБольшой англо-русский и русско-английский словарь > band-gap level
-
6 band-gap level
-
7 band-gap level
The New English-Russian Dictionary of Radio-electronics > band-gap level
-
8 вырожденный полупроводник
вырожденный полупроводник
Полупроводник, уровень Ферми в котором расположен в зоне проводимости или в валентной зоне, или же в запрещенной зоне на расстоянии от границ указанных зон, меньшем кТ.
[ ГОСТ 22622-77]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > вырожденный полупроводник
-
9 degenerated semiconductor
вырожденный полупроводник
Полупроводник, уровень Ферми в котором расположен в зоне проводимости или в валентной зоне, или же в запрещенной зоне на расстоянии от границ указанных зон, меньшем кТ.
[ ГОСТ 22622-77]Тематики
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > degenerated semiconductor
См. также в других словарях:
локальный энергетический уровень полупроводника — локальный уровень Энергетический уровень, расположенный в запрещенной зоне полупроводника, обусловленный дефектом решетки, когда взаимодействием отдельных дефектов можно пренебречь. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы… … Справочник технического переводчика
Локальный энергетический уровень полупроводника — 80. Локальный энергетический уровень полупроводника Локальный уровень Энергетический уровень, расположенный в запрещенной зоне полупроводника, обусловленный дефектом решетки, когда взаимодействием отдельных дефектов можно пренебречь Источник:… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
локальный уровень — Энергетический уровень, расположенный в запрещенной зоне полупроводника и обусловленный дефектом решетки при малой концентрации дефектов … Политехнический терминологический толковый словарь
ПОЛУПРОВОДНИКИ — в ва, характеризующиеся увеличением электрич. проводимости с ростом т ры. Хотя часто П. определяют как в ва с уд. электрич. проводимостью а, промежуточной между ее значениями для металлов (s ! 106 104 Ом 1 см 1) и для хороших диэлектриков (s ! 10 … Химическая энциклопедия
Рекомбинация — I Рекомбинация (от Ре... и позднелат. combinatio соединение) (генетическая), перераспределение генетического материала родителей в потомстве, приводящее к наследственной комбинативной изменчивости (См. Изменчивость) живых организмов. В… … Большая советская энциклопедия
Донор (физика полупроводников) — Донор в физике твёрдого тела (см. также полупроводники) примесь в кристаллической решётке, которая отдаёт кристаллу электрон. Вводится при ковалентном типе связи. Бывают однозарядные и многозарядные доноры. Например, в кристаллах элементов IV… … Википедия
Донор (физика) — У этого термина существуют и другие значения, см. Донор. Донор в физике твёрдого тела (см. также полупроводники) примесь в кристаллической решётке, которая отдаёт кристаллу электрон. Вводится при ковалентном типе связи. Бывают однозарядные… … Википедия
Донор электрона — Донор в физике твёрдого тела (см. также полупроводники) примесь в кристаллической решётке, которая отдаёт кристаллу электрон. Вводится при ковалентном типе связи. Бывают однозарядные и многозарядные доноры. Например, в кристаллах элементов IV… … Википедия
Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках — Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках, исчезновение пары электрон проводимости ‒ дырка в результате перехода электрона из зоны проводимости в валентную зону. Избыток энергии может выделяться в виде излучения (излучательная Р.).… … Большая советская энциклопедия
Полупроводники — широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности σ, промежуточными между электропроводностью металлов (См. Металлы) (σ Полупроводники 106 104 ом 1 см 1) и хороших диэлектриков (См. Диэлектрики) (σ ≤ 10 10 10 12 ом… … Большая советская энциклопедия
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации